Qual a diferença entre um transistor bipolar e um IGBT?

Publicado em: 07/06/2025

Transistor Bipolar

O transistor bipolar é um dispositivo semicondutor que possui três camadas de material semicondutor, sendo duas do tipo P e uma do tipo N, ou vice-versa. Ele é amplamente utilizado em circuitos eletrônicos de potência e de baixa potência, atuando como um interruptor controlado por corrente.

Funcionamento

No transistor bipolar, a corrente que circula entre o emissor e o coletor é controlada pela corrente que circula entre o emissor e a base. Quando uma corrente é aplicada à base, ela modifica a condutividade da região de base, permitindo ou bloqueando o fluxo de corrente entre o emissor e o coletor.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

O IGBT é um dispositivo semicondutor que combina as características do transistor bipolar e do transistor de efeito de campo (MOSFET). Ele é amplamente utilizado em aplicações de alta potência, como inversores de frequência, fontes de alimentação e sistemas de controle de motores.

Funcionamento

O IGBT possui uma estrutura semelhante ao transistor bipolar, mas com uma camada adicional de isolante entre o gate e o canal de condução. Isso permite um controle mais preciso da corrente entre o emissor e o coletor, tornando o IGBT mais eficiente em altas potências.

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