Qual a diferença entre um transistor BJT e um IGBT?

Publicado em: 07/06/2025

Transistor BJT

O Bipolar Junction Transistor (BJT) é um dispositivo semicondutor que possui três regiões de dopagem: emissor, base e coletor. Ele é amplamente utilizado em circuitos eletrônicos para amplificação de sinais e comutação de corrente.

Principais características do BJT:

• Operação em baixas e médias frequências
• Menor capacidade de comutação em relação ao IGBT
• Mais sensível a variações de temperatura

Transistor IGBT

O Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) é um dispositivo híbrido que combina as características de um transistor MOSFET e de um BJT. Ele é amplamente utilizado em aplicações de alta potência, como inversores de frequência e controles de motores.

Principais características do IGBT:

• Alta capacidade de comutação
• Menor sensibilidade a variações de temperatura em relação ao BJT
• Operação em altas frequências

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