Diferenças entre BJT e MOSFET em circuitos elétricos

Publicado em: 07/06/2025

Diferenças entre BJT e MOSFET em circuitos elétricos

Quando se trata de semicondutores utilizados em circuitos elétricos, dois componentes muito comuns são o BJT (Bipolar Junction Transistor) e o MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Ambos desempenham funções importantes, mas possuem características distintas que os tornam adequados para diferentes aplicações.

BJT (Bipolar Junction Transistor)

O BJT é um transistor de junção bipolar que consiste em três camadas de material semicondutor. Ele possui duas junções PN, sendo uma junção base-emissor e outra junção base-coletor. O BJT é amplamente utilizado em amplificadores de sinal e circuitos de comutação.

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

O MOSFET é um transistor de efeito de campo que opera com base no controle da tensão aplicada em seu terminal de porta. Ele é composto por uma camada de óxido que isola o gate do canal condutor. O MOSFET é ideal para aplicações de alta frequência e baixo consumo de energia.

Principais diferenças

• O BJT é um dispositivo de corrente controlada, enquanto o MOSFET é um dispositivo de tensão controlada.
• O BJT possui uma queda de tensão mais alta em seu estado de saturação, enquanto o MOSFET apresenta uma resistência de condução mais baixa.
• O BJT é mais adequado para aplicações de baixa potência, enquanto o MOSFET é mais eficiente em aplicações de alta potência.

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